BERITA TERKINI
Peneliti China Laporkan Terobosan Material Feroelektrik untuk Penyimpanan Data Berdensitas Tinggi

Peneliti China Laporkan Terobosan Material Feroelektrik untuk Penyimpanan Data Berdensitas Tinggi

Tim peneliti China melaporkan terobosan pada material feroelektrik yang dinilai berpotensi meningkatkan kepadatan penyimpanan informasi secara signifikan. Hasil penelitian tersebut dipublikasikan pada Jumat (23/1) dalam jurnal Science.

Penelitian yang dilakukan tim dari Institut Fisika di bawah Akademi Ilmu Pengetahuan China (Chinese Academy of Sciences/CAS) itu mengidentifikasi keberadaan dinding-dinding domain bermuatan satu dimensi di dalam material feroelektrik berstruktur fluorit.

Para peneliti menyebut dinding domain tersebut berukuran sangat kecil, dengan ketebalan dan lebar hanya sepersekian ratus ribu dari diameter rambut manusia. Temuan ini dinilai memberikan dasar ilmiah bagi pengembangan perangkat generasi berikutnya dengan densitas penyimpanan ultratinggi.

Material feroelektrik disebut penting untuk berbagai teknologi masa depan, termasuk penyimpanan data, penginderaan, dan kecerdasan buatan. Penyimpanan informasi pada dinding domain satu dimensi itu, menurut laporan penelitian, dapat meningkatkan densitas penyimpanan hingga beberapa ratus kali lipat.

Secara teoretis, batas kepadatan penyimpanan diperkirakan mencapai sekitar 20 terabita per sentimeter persegi. Kapasitas tersebut disebut cukup untuk menyimpan sekitar 10.000 film berdefinisi tinggi atau 200.000 video pendek berdefinisi tinggi dalam perangkat berukuran tidak lebih besar dari sebuah prangko.